ENERGY HARVESTING WEARABLE DEVICE
There is provided an energy harvesting wearable device and method of manufacturing same. The device comprises a resilient polymer substrate, a p-type semiconductor abutting against an n-type semiconductor so as to form p-n junctions therebetween, both the p-type and n-type semiconductors being recei...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | There is provided an energy harvesting wearable device and method of manufacturing same. The device comprises a resilient polymer substrate, a p-type semiconductor abutting against an n-type semiconductor so as to form p-n junctions therebetween, both the p-type and n-type semiconductors being received onto the resilient polymer substrate, a first and second electrical contact abutting against p-type and n-type semiconductors, respectively, such that each of the first and second electrical contacts are at least partially received onto the resilient substrate, a dielectric insulator material superposingly abutting both the p-type and n-type semiconductors and concomitantly abutting against both the first and second electrical contacts, and a supercapacitor superposingly abutting against the dielectric insulator material and contacting both the first and second electrical contacts, wherein the supercapacitor is at least partially translucent and/or transparent.
L'invention concerne un dispositif portable de collecte d'énergie et son procédé de fabrication. Le dispositif comprend un substrat polymère élastique, un semi-conducteur de type p venant en butée contre un semi-conducteur de type n de façon à former des jonctions p-n entre eux, les semi-conducteurs de type p et les semi-conducteurs de type n étant tous deux reçus sur le substrat polymère élastique, des premier et second contacts électriques venant en butée contre des semi-conducteurs de type p et de type n, respectivement, de telle sorte que chacun des premier et second contacts électriques est au moins partiellement reçu sur le substrat élastique, un matériau isolant diélectrique étant contigu de manière superposée à la fois aux semi-conducteurs de type p et de type n et venant en butée de manière concomitante contre les premier et second contacts électriques, et un supercondensateur venant en butée de manière superposée contre le matériau isolant diélectrique et entrant en contact avec les premier et second contacts électriques, le supercondensateur étant au moins partiellement translucide et/ou transparent. |
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