STABLE BIS (ALKYL-ARENE) TRANSITION METAL COMPLEXES AND METHODS OF FILM DEPOSITION USING THE SAME

Disclosed Is a method for forming a metal-containing film on a substrate comprising the steps of: exposing the substrate to a vapor of a film forming composition that contains a metal-containing precursor; and depositing at least part of the metal-containing precursor onto the substrate to form the metal-containing film on the substrate through a vapor deposition process, wherein the metal-containing precursor is a pure M(alkyl-arene)2, wherein M is Cr, Mo, or W; arene is wherein R1, R2, R3, R4, R5 and R6 each is independently selected from H, C1-C6 alkyl, C1- C6 alkenyl, C1-C6 alkylphenyl, C1-C6 alkenylphenyl, or -SIXR7R8, wherein X is selected from F, Cl, Br, I, and R7, R8 each are selected from H, C1-C6 alkyl, C1-C6 alkenyl. La présente invention concerne un procédé de formation d'un film contenant un métal sur un substrat comprenant les étapes consistant à : exposer le substrat à une vapeur d'une composition de formation de film qui contient un précurseur contenant un métal ; et déposer au moins une partie du précurseur contenant un métal sur le substrat pour former le film contenant un métal sur le substrat par l'intermédiaire d'un processus de dépôt en phase vapeur, le précurseur contenant un métal étant un M(alkyl-arène)2 pur, M représentant Cr, Mo ou W ; l'arène est R1, R2, R3, R4, R5 et R6 étant chacun indépendamment choisis parmi H, un alkyle en C1-C6, un alcényle en C1-C6, un alkyle en C1-C6-phényle, un alcényle en C1-C6-phényle ou -SIXR7R8, X étant choisi parmi F, Cl, Br, I et R7, R8 étant chacun choisis parmi H, un alkyle en C1-C6, un alcényle en C1-C6.