MICROPROCESSING TREATMENT AGENT AND MICROPROCESSING TREATMENT METHOD
Provided are a microprocessing treatment agent and a microprocessing treatment method, which enable an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film to be favorably microprocessed while suppressing fine particles from remaining. The microprocessing treatment agent accor...
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| Format: | Patent |
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| creator | HASEBE Rui YAMAZAKI Yosuke HORIGAMI Kenta NII Keiichi NISHIDA Tetsuo DATE Kazuya |
| description | Provided are a microprocessing treatment agent and a microprocessing treatment method, which enable an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film to be favorably microprocessed while suppressing fine particles from remaining. The microprocessing treatment agent according to the present invention is for microprocessing an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, and contains a compound represented by formula (1), hydrogen fluoride, ammonium fluoride, and water. M+ +(Rf-SO2)-N--(SO2-Rf) (1) (In the formula, Rf represents a perfluoroalkyl group having 1-4 carbon atoms, and M- represents a hydrogen ion or an ammonium ion). The content of the compound is 0.001-0.5 mass% with respect to the total mass of the microprocessing treatment agent, the content of the hydrogen fluoride is 0.05-25 mass% with respect to the total mass of the microprocessing treatment agent, the content of the ammonium fluoride is 0.5-40 mass% with respect to the total mass of the microprocessing treatment agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy the relational expression (1) below. Y≦-0.8X＋40 (1) (where, X represents the concentration of hydrogen fluoride (mass%), and Y represents the concentration of ammonium fluoride (mass%)).
L'invention fournit un agent de traitement de microfabrication et un procédé de traitement de microfabrication qui permettent une microfabrication satisfaisante tout en inhibant la rétention de microparticules, sur un objet à traiter possédant au moins un film isolant à teneur en silicium. L'agent de traitement de microfabrication de l'invention est destiné à la microfabrication d'un objet à traiter possédant au moins un film isolant à teneur en silicium, et contient un composé représenté par la formule chimique (1), un fluorure d'hydrogène, un fluorure d'ammonium et une eau. Ｍ＋ ＋（Ｒｆ－ＳＯ２） － Ｎ－－（ＳＯ２－Ｒｆ）（１） (Dans la formule, Rf représente un groupe perfluoroalkyle de 1 à 4 atomes de carbone, et Ｍ－ représente un ion hydrogène ou un ion ammonium.). La teneur en composé représenté par la formule chimique (1) est supérieure ou égale à ０,００１% en masse et inférieure ou égale à ０,５% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, la teneur en fluorure d'hydrogène est supérieure ou égale à ０,０５% en masse et inférieure ou égale à 25% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, la teneur en fl |
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L'invention fournit un agent de traitement de microfabrication et un procédé de traitement de microfabrication qui permettent une microfabrication satisfaisante tout en inhibant la rétention de microparticules, sur un objet à traiter possédant au moins un film isolant à teneur en silicium. L'agent de traitement de microfabrication de l'invention est destiné à la microfabrication d'un objet à traiter possédant au moins un film isolant à teneur en silicium, et contient un composé représenté par la formule chimique (1), un fluorure d'hydrogène, un fluorure d'ammonium et une eau. Ｍ＋ ＋（Ｒｆ－ＳＯ２） － Ｎ－－（ＳＯ２－Ｒｆ）（１） (Dans la formule, Rf représente un groupe perfluoroalkyle de 1 à 4 atomes de carbone, et Ｍ－ représente un ion hydrogène ou un ion ammonium.). La teneur en composé représenté par la formule chimique (1) est supérieure ou égale à ０,００１% en masse et inférieure ou égale à ０,５% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, la teneur en fluorure d'hydrogène est supérieure ou égale à ０,０５% en masse et inférieure ou égale à 25% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, la teneur en fluorure d'ammonium est supérieure ou égale à ０,５% en masse et inférieure ou égale à 40% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, et la teneur en fluorure d'hydrogène et la teneur en fluorure d'ammonium satisfont la formule relationnelle (1) suivante. Ｙ≦－０,８Ｘ＋４０（１） (X représente la concentration (en % en masse) en fluorure d'hydrogène, et Y représente la concentration (en % en masse) en fluorure d'ammonium.)
シリコン含有絶縁膜を少なくとも有する被処理物に対し、微粒子の残留を抑制しながら良好な微細加工を可能にする微細加工処理剤及び微細加工処理方法を提供する。本発明の微細加工処理剤は、シリコン含有絶縁膜を少なくとも有する被処理物を微細加工するための微細加工処理剤であって、以下の化学式（１）で示される化合物、フッ化水素、フッ化アンモニウム及び水を含み、 Ｍ＋ ＋（Ｒｆ－ＳＯ２） － Ｎ－－（ＳＯ２－Ｒｆ）（１）（式中、Ｒｆは炭素数が１～４のペルフルオロアルキル基を表し、Ｍ－は水素イオン又はアンモニウムイオンを表す。） 前記化合物の含有量は、前記微細加工処理剤の全質量に対し、０．００１質量％以上、０．５質量％以下であり、前記フッ化水素の含有量は、前記微細加工処理剤の全質量に対し、０．０５質量％以上、２５質量％以下であり、前記フッ化アンモニウムの含有量は、前記微細加工処理剤の全質量に対し、０．５質量％以上、４０質量％以下であり、前記フッ化水素の含有量と前記フッ化アンモニウムの含有量とは、以下の関係式（１）を満たすことを特徴とする。 Ｙ≦－０．８Ｘ＋４０（１）（但し、Ｘはフッ化水素の濃度（質量％）を表し、Ｙはフッ化アンモニウムの濃度（質量％）を表す。）</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20221124&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2022244275A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20221124&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2022244275A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HASEBE Rui</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMAZAKI Yosuke</creatorcontrib><creatorcontrib>HORIGAMI Kenta</creatorcontrib><creatorcontrib>NII Keiichi</creatorcontrib><creatorcontrib>NISHIDA Tetsuo</creatorcontrib><creatorcontrib>DATE Kazuya</creatorcontrib><title>MICROPROCESSING TREATMENT AGENT AND MICROPROCESSING TREATMENT METHOD</title><description>Provided are a microprocessing treatment agent and a microprocessing treatment method, which enable an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film to be favorably microprocessed while suppressing fine particles from remaining. The microprocessing treatment agent according to the present invention is for microprocessing an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, and contains a compound represented by formula (1), hydrogen fluoride, ammonium fluoride, and water. M+ +(Rf-SO2)-N--(SO2-Rf) (1) (In the formula, Rf represents a perfluoroalkyl group having 1-4 carbon atoms, and M- represents a hydrogen ion or an ammonium ion). The content of the compound is 0.001-0.5 mass% with respect to the total mass of the microprocessing treatment agent, the content of the hydrogen fluoride is 0.05-25 mass% with respect to the total mass of the microprocessing treatment agent, the content of the ammonium fluoride is 0.5-40 mass% with respect to the total mass of the microprocessing treatment agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy the relational expression (1) below. Y≦-0.8X＋40 (1) (where, X represents the concentration of hydrogen fluoride (mass%), and Y represents the concentration of ammonium fluoride (mass%)).
L'invention fournit un agent de traitement de microfabrication et un procédé de traitement de microfabrication qui permettent une microfabrication satisfaisante tout en inhibant la rétention de microparticules, sur un objet à traiter possédant au moins un film isolant à teneur en silicium. L'agent de traitement de microfabrication de l'invention est destiné à la microfabrication d'un objet à traiter possédant au moins un film isolant à teneur en silicium, et contient un composé représenté par la formule chimique (1), un fluorure d'hydrogène, un fluorure d'ammonium et une eau. Ｍ＋ ＋（Ｒｆ－ＳＯ２） － Ｎ－－（ＳＯ２－Ｒｆ）（１） (Dans la formule, Rf représente un groupe perfluoroalkyle de 1 à 4 atomes de carbone, et Ｍ－ représente un ion hydrogène ou un ion ammonium.). La teneur en composé représenté par la formule chimique (1) est supérieure ou égale à ０,００１% en masse et inférieure ou égale à ０,５% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, la teneur en fluorure d'hydrogène est supérieure ou égale à ０,０５% en masse et inférieure ou égale à 25% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, la teneur en fluorure d'ammonium est supérieure ou égale à ０,５% en masse et inférieure ou égale à 40% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, et la teneur en fluorure d'hydrogène et la teneur en fluorure d'ammonium satisfont la formule relationnelle (1) suivante. Ｙ≦－０,８Ｘ＋４０（１） (X représente la concentration (en % en masse) en fluorure d'hydrogène, et Y représente la concentration (en % en masse) en fluorure d'ammonium.)
シリコン含有絶縁膜を少なくとも有する被処理物に対し、微粒子の残留を抑制しながら良好な微細加工を可能にする微細加工処理剤及び微細加工処理方法を提供する。本発明の微細加工処理剤は、シリコン含有絶縁膜を少なくとも有する被処理物を微細加工するための微細加工処理剤であって、以下の化学式（１）で示される化合物、フッ化水素、フッ化アンモニウム及び水を含み、 Ｍ＋ ＋（Ｒｆ－ＳＯ２） － Ｎ－－（ＳＯ２－Ｒｆ）（１）（式中、Ｒｆは炭素数が１～４のペルフルオロアルキル基を表し、Ｍ－は水素イオン又はアンモニウムイオンを表す。） 前記化合物の含有量は、前記微細加工処理剤の全質量に対し、０．００１質量％以上、０．５質量％以下であり、前記フッ化水素の含有量は、前記微細加工処理剤の全質量に対し、０．０５質量％以上、２５質量％以下であり、前記フッ化アンモニウムの含有量は、前記微細加工処理剤の全質量に対し、０．５質量％以上、４０質量％以下であり、前記フッ化水素の含有量と前記フッ化アンモニウムの含有量とは、以下の関係式（１）を満たすことを特徴とする。 Ｙ≦－０．８Ｘ＋４０（１）（但し、Ｘはフッ化水素の濃度（質量％）を表し、Ｙはフッ化アンモニウムの濃度（質量％）を表す。）</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHDx9XQO8g8I8nd2DQ729HNXCAlydQzxdfULUXB0B5N-Lgq41fi6hnj4u_AwsKYl5hSn8kJpbgZlN9cQZw_d1IL8-NTigsTk1LzUkvhwfyMDIyMjExMjc1NHQ2PiVAEAS8AtMA</recordid><startdate>20221124</startdate><enddate>20221124</enddate><creator>HASEBE Rui</creator><creator>YAMAZAKI Yosuke</creator><creator>HORIGAMI Kenta</creator><creator>NII Keiichi</creator><creator>NISHIDA Tetsuo</creator><creator>DATE Kazuya</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20221124</creationdate><title>MICROPROCESSING TREATMENT AGENT AND MICROPROCESSING TREATMENT METHOD</title><author>HASEBE Rui ; YAMAZAKI Yosuke ; HORIGAMI Kenta ; NII Keiichi ; NISHIDA Tetsuo ; DATE Kazuya</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2022244275A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2022</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HASEBE Rui</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMAZAKI Yosuke</creatorcontrib><creatorcontrib>HORIGAMI Kenta</creatorcontrib><creatorcontrib>NII Keiichi</creatorcontrib><creatorcontrib>NISHIDA Tetsuo</creatorcontrib><creatorcontrib>DATE Kazuya</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HASEBE Rui</au><au>YAMAZAKI Yosuke</au><au>HORIGAMI Kenta</au><au>NII Keiichi</au><au>NISHIDA Tetsuo</au><au>DATE Kazuya</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>MICROPROCESSING TREATMENT AGENT AND MICROPROCESSING TREATMENT METHOD</title><date>2022-11-24</date><risdate>2022</risdate><abstract>Provided are a microprocessing treatment agent and a microprocessing treatment method, which enable an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film to be favorably microprocessed while suppressing fine particles from remaining. The microprocessing treatment agent according to the present invention is for microprocessing an object to be processed having at least a silicon-containing insulating film, and contains a compound represented by formula (1), hydrogen fluoride, ammonium fluoride, and water. M+ +(Rf-SO2)-N--(SO2-Rf) (1) (In the formula, Rf represents a perfluoroalkyl group having 1-4 carbon atoms, and M- represents a hydrogen ion or an ammonium ion). The content of the compound is 0.001-0.5 mass% with respect to the total mass of the microprocessing treatment agent, the content of the hydrogen fluoride is 0.05-25 mass% with respect to the total mass of the microprocessing treatment agent, the content of the ammonium fluoride is 0.5-40 mass% with respect to the total mass of the microprocessing treatment agent, and the content of the hydrogen fluoride and the content of the ammonium fluoride satisfy the relational expression (1) below. Y≦-0.8X＋40 (1) (where, X represents the concentration of hydrogen fluoride (mass%), and Y represents the concentration of ammonium fluoride (mass%)).
L'invention fournit un agent de traitement de microfabrication et un procédé de traitement de microfabrication qui permettent une microfabrication satisfaisante tout en inhibant la rétention de microparticules, sur un objet à traiter possédant au moins un film isolant à teneur en silicium. L'agent de traitement de microfabrication de l'invention est destiné à la microfabrication d'un objet à traiter possédant au moins un film isolant à teneur en silicium, et contient un composé représenté par la formule chimique (1), un fluorure d'hydrogène, un fluorure d'ammonium et une eau. Ｍ＋ ＋（Ｒｆ－ＳＯ２） － Ｎ－－（ＳＯ２－Ｒｆ）（１） (Dans la formule, Rf représente un groupe perfluoroalkyle de 1 à 4 atomes de carbone, et Ｍ－ représente un ion hydrogène ou un ion ammonium.). La teneur en composé représenté par la formule chimique (1) est supérieure ou égale à ０,００１% en masse et inférieure ou égale à ０,５% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, la teneur en fluorure d'hydrogène est supérieure ou égale à ０,０５% en masse et inférieure ou égale à 25% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, la teneur en fluorure d'ammonium est supérieure ou égale à ０,５% en masse et inférieure ou égale à 40% en masse pour la masse totale dudit agent de traitement de microfabrication, et la teneur en fluorure d'hydrogène et la teneur en fluorure d'ammonium satisfont la formule relationnelle (1) suivante. Ｙ≦－０,８Ｘ＋４０（１） (X représente la concentration (en % en masse) en fluorure d'hydrogène, et Y représente la concentration (en % en masse) en fluorure d'ammonium.)
シリコン含有絶縁膜を少なくとも有する被処理物に対し、微粒子の残留を抑制しながら良好な微細加工を可能にする微細加工処理剤及び微細加工処理方法を提供する。本発明の微細加工処理剤は、シリコン含有絶縁膜を少なくとも有する被処理物を微細加工するための微細加工処理剤であって、以下の化学式（１）で示される化合物、フッ化水素、フッ化アンモニウム及び水を含み、 Ｍ＋ ＋（Ｒｆ－ＳＯ２） － Ｎ－－（ＳＯ２－Ｒｆ）（１）（式中、Ｒｆは炭素数が１～４のペルフルオロアルキル基を表し、Ｍ－は水素イオン又はアンモニウムイオンを表す。） 前記化合物の含有量は、前記微細加工処理剤の全質量に対し、０．００１質量％以上、０．５質量％以下であり、前記フッ化水素の含有量は、前記微細加工処理剤の全質量に対し、０．０５質量％以上、２５質量％以下であり、前記フッ化アンモニウムの含有量は、前記微細加工処理剤の全質量に対し、０．５質量％以上、４０質量％以下であり、前記フッ化水素の含有量と前記フッ化アンモニウムの含有量とは、以下の関係式（１）を満たすことを特徴とする。 Ｙ≦－０．８Ｘ＋４０（１）（但し、Ｘはフッ化水素の濃度（質量％）を表し、Ｙはフッ化アンモニウムの濃度（質量％）を表す。）</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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