SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS

The present disclosure relates to: a solid-state imaging device that can suppress irregular reflection of incident light; a method for manufacturing this device; and an electronic apparatus. This solid-state imaging device comprises: an imaging element chip having a semiconductor substrate; and a device chip that is bonded to a wiring layer on the side opposite a light incident surface of the semiconductor substrate. The device chip is disposed in a pixel region of the imaging element chip, and the wiring layer of the imaging element chip comprises a dummy metal wiring in an area of the pixel region in which the device chip is not disposed. This technology can be applied, for example, to a solid-state imaging device in which an imaging element chip and a device chip are bonded together. La présente divulgation concerne : un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui peut supprimer une réflexion irrégulière de lumière incidente ; un procédé de fabrication de ce dispositif ; et un appareil électronique. Ce dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend : une puce d'élément d'imagerie présentant un substrat semi-conducteur ; et une puce de dispositif qui est liée à une couche de câblage sur le côté opposé à une surface d'incidence de lumière du substrat semi-conducteur. La puce de dispositif est disposée dans une région de pixel de la puce d'élément d'imagerie, et la couche de câblage de la puce d'élément d'imagerie comprend un câblage métallique factice dans une zone de la région de pixel dans laquelle la puce de dispositif n'est pas disposée. Cette technologie peut être appliquée, par exemple, à un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs dans lequel une puce d'élément d'imagerie et une puce de dispositif sont liées ensemble. 本開示は、入射光の反射ムラを抑制できるようにする固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像装置は、半導体基板を有する撮像素子チップと、半導体基板の光入射面側とは反対側の配線層に接合されたデバイスチップとを備え、デバイスチップは、撮像素子チップの画素領域に配置されており、撮像素子チップの配線層は、画素領域のデバイスチップが配置されていない領域にダミー金属配線を備える。本技術は、例えば、撮像素子チップとデバイスチップとを接合した固体撮像装置等に適用できる。