NON-VOLATILE MEMORY WITH DIFFERENT USE OF METAL LINES IN WORD LINE HOOK UP REGIONS

To overcome a shortage of area for horizontal metal lines to connect word line switch transistors to corresponding word lines and for pass through signal lines, it is proposed to implement multiple architectures for the word line hook up regions. For example, some areas of a die will be designed to provide extra horizontal metal lines to connect word line switch transistors to word lines and other areas of the die will be designed to provide extra pass through signal lines. Pour surmonter une insuffisance de zone pour des lignes métalliques horizontales afin de connecter des transistors de commutation de ligne de mots à des lignes de mots correspondantes et pour passer à travers des lignes de signal, il est proposé de mettre en œuvre de multiples architectures pour les régions de connexion de ligne de mots. Par exemple, certaines zones d'une puce seront conçues pour fournir des lignes métalliques horizontales supplémentaires pour connecter des transistors de commutation de ligne de mots à des lignes de mots et d'autres zones de la puce seront conçues pour fournir un passage supplémentaire à travers des lignes de signal.