METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC FILM, METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE

This method for manufacturing a piezoelectric film includes a piezoelectric film formation step for forming a piezoelectric film, in which at least two types of crystal films are layered onto an amorphous film. The piezoelectric film formation step includes: a first crystal film formation step in which a piezoelectric material is sputtered onto the amorphous film in a gas atmosphere containing argon to form a first crystal film that includes the piezoelectric material as a principal constituent and that includes argon; and a second crystal film formation step in which the piezoelectric material is sputtered onto the first crystal film in a gas atmosphere containing krypton to form a second crystal film that includes the piezoelectric material as a principal constituent and includes krypton. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film piézoélectrique qui comprend une étape de formation de film piézoélectrique consistant à former un film piézoélectrique, au moins deux types de films cristallins étant stratifiés sur un film amorphe. L'étape de formation de film piézoélectrique comprend : une première étape de formation de film cristallin dans laquelle un matériau piézoélectrique est pulvérisé sur le film amorphe dans une atmosphère gazeuse contenant de l'argon pour former un premier film cristallin qui comprend le matériau piézoélectrique en tant que constituant principal et qui comprend de l'argon ; et une seconde étape de formation de film cristallin dans laquelle le matériau piézoélectrique est pulvérisé sur le premier film cristallin dans une atmosphère gazeuse contenant du krypton pour former un second film cristallin qui comprend le matériau piézoélectrique en tant que constituant principal et comprend du krypton. 本発明に係る圧電体膜の製造方法は、非晶質膜の上に、少なくとも２種類の結晶膜が積層された圧電体膜を形成する圧電体膜形成工程を含み、前記圧電体膜形成工程は、前記非晶質膜の上に、Ａｒを含むガス雰囲気中で圧電材料をスパッタリングして、前記圧電材料を主成分として含むと共にＡｒを含む第１結晶膜を形成する第１結晶膜形成工程と、前記第１結晶膜の上に、Ｋｒを含むガス雰囲気中で前記圧電材料をスパッタリングして、前記圧電材料を主成分として含むと共にＫｒを含む第２結晶膜を形成する第２結晶膜形成工程と、を含む。