IMAGING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Provided is an imaging device (1) comprising a semiconductor substrate (10) and a plurality of imaging elements (100) which are arranged in a matrix along a row direction and a column direction on the semiconductor substrate, and which perform photoelectric conversion of incident light, wherein the...

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Hauptverfasser: HONDA, Takayoshi, SHIOYAMA, Tadamasa
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:Provided is an imaging device (1) comprising a semiconductor substrate (10) and a plurality of imaging elements (100) which are arranged in a matrix along a row direction and a column direction on the semiconductor substrate, and which perform photoelectric conversion of incident light, wherein the imaging elements each have: a plurality of pixels (300) which are provided adjacently to each other in the semiconductor substrate; an element partitioning wall (310) which is provided so as to surround the plurality of pixels and pass through the semiconductor substrate; an on-chip lens (200) which is provided above a first surface of the semiconductor substrate so as to be shared by the plurality of pixels; and a first pixel partitioning part (304) which partitions the plurality of pixels. L'invention concerne un dispositif d'imagerie (1) comprenant un substrat semi-conducteur (10) et une pluralité d'éléments d'imagerie (100) qui sont agencés dans une matrice le long d'une direction de rangée et d'une direction de colonne sur le substrat semi-conducteur, et qui réalisent une conversion photoélectrique de lumière incidente, les éléments d'imagerie ayant chacun : une pluralité de pixels (300) qui sont disposés l'un à côté de l'autre dans le substrat semi-conducteur ; une paroi de séparation d'éléments (310) qui est disposée de façon à entourer la pluralité de pixels et à passer à travers le substrat semi-conducteur ; une lentille sur puce (200) qui est disposée au-dessus d'une première surface du substrat semi-conducteur de manière à être partagée par la pluralité de pixels ; et une première partie de partitionnement de pixels (304) qui partitionne la pluralité de pixels. 半導体基板(10)と、前記半導体基板上に行方向及び列方向に沿ってマトリックス状に配列し、入射された光に対して光電変換を行う複数の撮像素子(100)とを備える撮像装置(1)であって、前記各撮像素子は、前記半導体基板内に互いに隣接するように設けられた複数の画素(300)と、前記複数の画素を取り囲み、且つ、前記半導体基板を貫通するように設けられた素子分離壁(310)と、前記複数の画素が共有するように前記半導体基板の第1の面の上方に設けられたオンチップレンズ(200)と、前記複数の画素を分離する第1の画素分離部(304)とを有する、撮像装置を提供する。