EDGE PROTECTION ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

Exemplary methods of processing a semiconductor substrate may include forming a layer of dielectric material on the semiconductor substrate. The methods may include performing an edge exclusion removal of the layer of dielectric material. The methods may include forming a mask material on the semiconductor substrate. The mask material may contact the dielectric material at an edge region of the semiconductor substrate. The methods may include patterning an opening in the mask material overlying a first surface of the semiconductor substrate. The methods may include etching one or more trenches through the semiconductor substrate. Des procédés donnés à titre d'exemple de traitement d'un substrat semi-conducteur peuvent comprendre la formation d'une couche de matériau diélectrique sur le substrat semi-conducteur. Les procédés peuvent comprendre la réalisation d'une élimination par exclusion de périphérique de la couche de matériau diélectrique. Les procédés peuvent comprendre la formation d'un matériau de masque sur le substrat semi-conducteur. Le matériau de masque peut entrer en contact avec le matériau diélectrique au niveau d'une région de périphérique du substrat semi-conducteur. Les procédés peuvent comprendre la formation d'un motif d'ouverture dans le matériau de masque recouvrant une première surface du substrat semi-conducteur. Les procédés peuvent comprendre la gravure d'une ou de plusieurs tranchées à travers le substrat semi-conducteur.