METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE

Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. For example, a method for processing a substrate comprises supplying a vaporized silicon containing precursor from a gas supply into a processing volume of a processing chamber, supplying a first process gas from the gas supply into the processing volume, energizing the first process gas using RF source power at a first duty cycle to react with the vaporized silicon containing precursor, and supplying a process gas mixture from the gas supply while providing RF bias power at a second duty cycle different from the first duty cycle to a substrate support disposed in the processing volume to deposit a SiHx film onto a substrate supported on the substrate support. La présente invention concerne des procédés et un appareil de traitement d'un substrat. Par exemple, un procédé de traitement d'un substrat consiste à introduire un précurseur contenant du silicium vaporisé à partir d'une alimentation en gaz dans un volume de traitement d'une chambre de traitement, à introduire un premier gaz de traitement à partir de l'alimentation en gaz dans le volume de traitement, à exciter le premier gaz de traitement à l'aide d'une puissance de source RF à un premier cycle de service pour générer une réaction avec le précurseur contenant du silicium vaporisé, et à fournir un mélange de gaz de traitement à partir de l'alimentation en gaz tout en fournissant une puissance de polarisation RF à un second cycle de service différent du premier cycle de service à un support de substrat disposé dans le volume de traitement pour déposer un film SiHx sur un substrat supporté sur le support de substrat.