SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM

This substrate treatment device comprises: a treatment chamber for treating a substrate; a substrate holding unit for holding the substrate; a rotation mechanism for causing the substrate holding unit to rotate; a microwave supply unit that supplies microwaves from one side of the treatment chamber, as viewed from the rotation axis of the rotation mechanism, so as to heat-treat the substrate; a carry-in/carry-out unit that is provided to a lateral wall of the treatment chamber opposite to the microwave supply unit with the rotation axis therebetween and that is for carrying in and carrying out the substrate; and a heat escape inhibition unit that is disposed between the substrate and the microwave supply unit and that inhibits heat escape from an edge of the substrate. L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant : une chambre de traitement pour traiter un substrat ; une unité de maintien de substrat pour maintenir le substrat ; un mécanisme de rotation pour amener l'unité de maintien de substrat à tourner ; une unité d'alimentation en micro-ondes qui fournit des micro-ondes à partir d'un côté de la chambre de traitement, vue à partir de l'axe de rotation du mécanisme de rotation, de façon à traiter thermiquement le substrat ; une unité d'entrée/sortie qui est disposée sur une paroi latérale de la chambre de traitement opposée à l'unité d'alimentation en micro-ondes avec l'axe de rotation entre celles-ci et qui est destinée à porter et à mettre en œuvre le substrat ; et une unité d'inhibition de fuite de chaleur qui est disposée entre le substrat et l'unité d'alimentation en micro-ondes et qui empêche une fuite de chaleur depuis un bord du substrat. 基板処理装置は、基板を処理する処理室と、基板を保持する基板保持部と、基板保持部を回転させる回転機構と、回転機構の回転軸から見て、処理室の一方側からマイクロ波を供給し、基板を加熱処理するマイクロ波供給部と、回転軸を挟んで処理室のマイクロ波供給部に対向する側壁に設けられ、基板を搬入出する搬入出部と、基板とマイクロ波供給部との間に配置され、基板のエッジからの熱逃げを抑制する熱逃げ抑制部と、を備えている。