METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LAYER SEQUENCE, AND SEMICONDUCTOR LAYER SEQUENCE

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge mit den folgenden Schritten angegeben: - Aufbringen eines ersten Bereichs (2a) einer ersten Halbleiterschicht (2), die auf Gruppe-III-Nitriden basiert, auf ein Aufwachssubstrat (1), - Aufbringen einer Ätzstoppschichtenfolge (6) auf dem ersten Bereich (2a) der ersten Halbleiterschicht (2), - Aufbringen eines zweiten Bereichs (2b) der ersten Halbleiterschicht (2), auf der Ätzstoppschichtenfolge (6), wobei - die Ätzstoppschichtenfolge (6) eine Ätzstoppschicht (61) umfasst, die auf SiN basiert, - die Ätzstoppschichtenfolge (6) eine Aufwachsschicht (62) umfasst, die auf AlGaN basiert, und - die Ätzstoppschicht (61) dem ersten Bereich (2a) der ersten Halbleiterschicht (2) zugewandt ist. The invention relates to a method for producing a semiconductor layer sequence, comprising the following steps: - applying a first region (2a) of a first semiconductor layer (2) to a growth substrate (1), the first semiconductor layer being based on group III nitrides, - applying an etch stop layer sequence (6) to the first region (2a) of the first semiconductor layer (2), - applying a second region (2b) of the first semiconductor layer (2) to the etch stop layer sequence (6), wherein the etch stop layer sequence (6) comprises an etch stop layer (61) based on SiN, the etch stop layer sequence (6) comprises a growth layer (62) based on AlGaN, and the etch stop layer (61) faces the first region (2a) of the first semiconductor layer (2). L'invention concerne un procédé de production d'une succession de couches semi-conductrices, comprenant les étapes suivantes consistant à : - appliquer une première région (2a) d'une première couche semi-conductrice (2) à un substrat de croissance (1), la première couche semi-conductrice étant à base de nitrures du groupe III, - appliquer une successions de couches d'arrêt de gravure (6) à la première région (2a) de la première couche semi-conductrice (2), - appliquer une seconde région (2b) de la première couche semi-conductrice (2) à la succession de couches d'arrêt de gravure (6), la succession de couches d'arrêt de gravure (6) comprenant une couche d'arrêt de gravure (61) à base de SiN, la succession de couches d'arrêt de gravure (6) comprend une couche de croissance (62) à base d'AlGaN et la couche d'arrêt de gravure (61) fait face à la première région (2a) de la première couche semi-conductrice (2).