METHODS AND APPARATUS FOR FACILITATED PROGRAM AND ERASE OF TWO-TERMINAL MEMORY DEVICES

A method for facilitating erase or program operations on two-terminal memory devices includes substantially simultaneously initiating erase cycle or program cycle for two-terminal memory devices from a first plurality of two-terminal memory devices, monitoring erase detect or program detect conditions for each of the two-terminal memory devices, and before detecting erase detect or program detect conditions for all of the two-terminal memory devices, the method includes detecting an erase detect or a program detect condition for the first two-terminal memory device from the first plurality of two-terminal memory devices, and initiating an erase cycle or a program for a second two-terminal memory device for a second plurality of two-terminal memory devices, in response to detecting the erase detect or program detect condition for the first two-terminal memory device. Procédé, destiné à faciliter des opérations d'effacement ou de programme sur des dispositifs de mémoire à deux bornes, comprenant les étapes suivantes : initiation de manière sensiblement simultanée d'un cycle d'effacement ou d'un cycle de programme pour des dispositifs de mémoire à deux bornes à partir d'une première pluralité de dispositifs de mémoire à deux bornes, surveillance de conditions de détection d'effacement ou de détection de programme pour chaque dispositif de mémoire à deux bornes des dispositifs de mémoire à deux bornes, et avant de détecter des conditions de détection d'effacement ou de détection de programme pour tous les dispositifs de mémoire à deux bornes, le procédé comprend les étapes suivantes : détection d'une condition de détection d'effacement ou d'une condition de détection de programme pour le premier dispositif de mémoire à deux bornes à partir de la première pluralité de dispositifs de mémoire à deux bornes, et initiation d'un cycle d'effacement ou d'un programme pour un second dispositif de mémoire à deux bornes pour une seconde pluralité de dispositifs de mémoire à deux bornes, en réponse à la détection de la condition de détection d'effacement ou de détection de programme pour le premier dispositif de mémoire à deux bornes.