SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE

This semiconductor device (100) comprises a semiconductor element (1), a substrate (2), a thermal diffusion plate (3), and a joining member (J1). The semiconductor element (1) is joined to the substrate (2). The thermal diffusion plate (3) includes a joined surface (31). The joined surface (31) is disposed on the side that is opposite from the semiconductor element (1) relative to the substrate (2). The joining member (J1) joins the substrate (2) and the thermal diffusion plate (3) at a location between the substrate (2) and the thermal diffusion plate (3). A groove (4) that is recessed from the joined surface (31) is provided in the thermal diffusion plate (3). The groove (4) in the thermal diffusion plate (3) includes a portion that is exposed from the joining member (J1). La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) qui comprend un élément semi-conducteur (1), un substrat (2), une plaque de diffusion thermique (3) et un élément de jonction (J1). L'élément semi-conducteur (1) est relié au substrat (2). La plaque de diffusion thermique (3) comprend une surface jointe (31). La surface jointe (31) est disposée sur le côté qui est opposé à l'élément semi-conducteur (1) par rapport au substrat (2). L'élément de jonction (J1) relie le substrat (2) et la plaque de diffusion thermique (3) en un emplacement entre le substrat (2) et la plaque de diffusion thermique (3). Une rainure (4) qui est en retrait par rapport à la surface jointe (31) est ménagée dans la plaque de diffusion thermique (3). La rainure (4) dans la plaque de diffusion thermique (3) comprend une partie qui est visible à partir de l'élément de jonction (J1). 半導体装置（１００）は、半導体素子（１）と、基板（２）と、熱拡散板（３）と、接合部材（Ｊ１）とを備えている。基板（２）には、半導体素子（１）が接合されている。熱拡散板（３）は、被接合面（３１）を含んでいる。被接合面（３１）は、基板（２）に対して半導体素子（１）とは反対側に配置されている。接合部材（Ｊ１）は、基板（２）と熱拡散板（３）との間において基板（２）と熱拡散板（３）とを接合している。熱拡散板（３）には、被接合面（３１）から凹む溝（４）が設けられている。熱拡散板（３）の溝（４）は、接合部材（Ｊ１）から露出した部分を含んでいる。