VERTICAL TRANSISTORS WITH GATE CONNECTION GRID

In a general aspect, a semiconductor device can (100) include a plurality of vertical transistor segments (200, 300) disposed in an active region (110) of a semiconductor region. The plurality of vertical transistor segments can include respective gate electrodes (206b, 306b). A first dielectric (415, 915, 1015) can be disposed on the active region. An electrically conductive grid (130, 230, 330, 430, 630, 930, 1030) can be disposed on the first dielectric. The electrically conductive grid can be electrically coupled with the respective gate electrodes using a plurality of conductive contacts (430a, 630a, 930a, 1030a) formed through the first dielectric. A second dielectric (925) can be disposed on the electrically conductive grid and the first dielectric. A conductive metal layer can be disposed on the second dielectric layer. The conductive metal layer can include a portion (951) that is electrically coupled with the respective gate electrodes through the electrically conductive grid using at least one conductive contact (930a) to the electrically conductive grid formed through the second dielectric. La présente invention concerne, dans un aspect général, un dispositif à semi-conducteur pouvant comprendre une pluralité de segments de transistor verticaux (200, 300) disposés dans une région active (110) d'une région semi-conductrice. La pluralité de segments de transistor vertical peut comprendre des électrodes de grille respectives (206b, 306b). Un premier diélectrique (415, 915, 1015) peut être disposé sur la région active. Une grille électriquement conductrice (130, 230, 330, 430, 630, 930, 1030) peut être disposée sur le premier diélectrique. La grille électroconductrice peut être électriquement couplée aux électrodes de grille respectives à l'aide d'une pluralité de contacts conducteurs (430a, 630a, 1030a) formés à travers le premier diélectrique. Un second diélectrique (925) peut être disposé sur la grille électroconductrice et le premier diélectrique. Une couche métallique conductrice peut être disposée sur la seconde couche diélectrique. La couche métallique conductrice peut comprendre une partie (951) qui est électriquement couplée aux électrodes de grille respectives à travers la grille électriquement conductrice à l'aide d'au moins un contact conducteur (930a) sur la grille électroconductrice formée à travers le second diélectrique.