SEMICONDUCTOR ELEMENT, ELECTRIC POWER CONVERSION DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT

A semiconductor element according to the present invention comprises: a semiconductor chip (1); an electrode (4) provided on at least one main surface of the semiconductor chip (1); a first bonding electrode (6) provided on the electrode (4); and a second bonding electrode (7) provided on the first bonding electrode (6), wherein the electrode (4) has a raised part on a surface thereof which is located on the first bonding electrode (6) side, a surface of the first bonding electrode (6) which is located on the second bonding electrode (7) side is smooth, and a surface of the second bonding electrode (7) which is located on the opposite side from the first bonding electrode (6) is smooth. Un élément semi-conducteur selon la présente invention comprend : une puce à semi-conducteur (1) ; une électrode (4) disposée sur au moins une surface principale de la puce à semi-conducteur (1) ; une première électrode de liaison (6) disposée sur l'électrode (4) ; et une seconde électrode de liaison (7) disposée sur la première électrode de liaison (6), l'électrode (4) ayant une partie en relief sur une surface de celle-ci qui est située sur la première électrode de liaison (6), une surface de la première électrode de liaison (6) qui est située sur le côté de la seconde électrode de liaison (7) est lisse, et une surface de la seconde électrode de liaison (7) qui est située sur le côté opposé à la première électrode de liaison (6) est lisse. 半導体チップ（１）と、前記半導体チップ（１）の少なくとも一方の主面に設けられた電極（４）と、前記電極（４）上に設けられた第１接合用電極（６）と、前記第１接合用電極（６）上に設けられた第２接合用電極（７）と、を備え、前記電極（４）は、前記第１接合用電極（６）側の表面に凸部を有し、前記第１接合用電極（６）において、前記第２接合用電極（７）側の表面は平滑であり、前記第２接合用電極（７）において、前記第１接合用電極（６）と反対側の表面は平滑である、半導体素子。