ETCHING PROCESSING APPARATUS AND ETCHING PROCESSING METHOD

According to an embodiment of the present invention, an etching processing apparatus and an etching processing method using a liquid fluorocarbon or a liquid hydrofluorocarbon precursor may be provided, the etching processing apparatus and etching processing method capable of achieving almost the same effect as cryogenic etching even at a relatively high temperature compared to cryogenic etching. In addition, an etching processing apparatus and an etching processing method capable of solving process problems that may arise due to a liquid precursor and a low temperature may be provided. Selon un mode de réalisation de la présente invention, un appareil de traitement de gravure et un procédé de traitement de gravure utilisant un fluorocarbone liquide ou un précurseur d'hydrofluorocarbure liquide peuvent être fournis, l'appareil de traitement de gravure et le procédé de traitement de gravure pouvant produire presque le même effet que la gravure cryogénique même à une température relativement élevée par rapport à la gravure cryogénique. De plus, l'invention concerne un appareil de traitement de gravure et un procédé de traitement de gravure capables de résoudre les problèmes de traitement qui peuvent se produire en raison d'un précurseur liquide et d'une basse température. 본 발명의 실시예에 의하면, 극저온(Cryogenic) 식각에 비하여 상대적으로 높은 온도에서도 극저온 식각과 거의 동일한 효과를 달성할 수 있는 액상 플루오로카본 또는 액상 하이드로플루오로카본 전구체를 이용하는 식각 처리 장치 및 식각 처리 방법이 제공될 수 있다. 또한, 액상 전구체와 저온에 의하여 발생할 수 있는 공정 문제를 해결할 수 있는 식각 처리 장치 및 식각 처리 방법이 제공될 수 있다.