SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

This substrate processing method includes the following features (A)-(C). (A) Preparing a substrate on which a high-κ dielectric film having a high dielectric constant compared to an SiO2 film is formed. (B) Supplying, to said substrate, a metal solution that includes a second metal element having a high electronegativity or a low valence compared to a first metal element that is included in the high-κ dielectric film. (C) Forming, on a surface of the high-κ dielectric film, a doping layer in which the first metal element has been substituted with the second metal element. La présente invention concerne un procédé de traitement de substrat qui comprend les étapes suivantes (A)-(C). (A) La préparation d'un substrat sur lequel est formé un film diélectrique à indice κ élevé ayant une constante diélectrique élevée par rapport à un film de SiO2. (B) L'application, sur ledit substrat, d'une solution métallique qui comprend un second élément métallique ayant une électronégativité élevée ou une valence faible par rapport à un premier élément métallique qui est inclus dans le film diélectrique à indice κ élevé. (C) La formation, sur une surface du film diélectrique à indice κ élevé, d'une couche de dopage dans laquelle le premier élément métallique a été remplacé par le second élément métallique. 基板処理方法は、下記（Ａ）～（Ｃ）を含む。（Ａ）ＳｉＯ２膜に比べて高い誘電率の高誘電体膜が形成された基板を準備する。（Ｂ）前記高誘電体膜に含まれる第１金属元素に比べて、電気陰性度が高い又は価数が低い第２金属元素を含む金属溶液を、前記基板に対して供給する。（Ｃ）前記高誘電体膜の表面に、前記第１金属元素を前記第２金属元素に置換したドーピング層を形成する。