SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE

The present disclosure provides a substrate treatment method including: a preparation step for placing a substrate to be treated on a placement table in a treatment container; a first heating step for supplying a first gas into the treatment container and heating the substrate to be treated using a heating means; a second heating step for stopping the supply of the first gas, supplying a second gas which is different from the first gas, and heating the substrate to be treated using the heating means; and a treatment step for supplying a third gas which includes the second gas and treating the substrate to be treated. La présente divulgation concerne un procédé de traitement de substrat comprenant : une étape de préparation consistant à placer un substrat à traiter sur une table de placement dans un contenant de traitement ; une première étape de chauffe consistant à introduire un premier gaz dans le contenant de traitement et à chauffer le substrat à traiter à l'aide d'un moyen de chauffe ; une seconde étape de chauffe consistant à interrompre l'introduction du premier gaz, à introduire un deuxième gaz différent du premier gaz, et à chauffer le substrat à traiter à l'aide du moyen de chauffe ; et une étape de traitement consistant à introduire un troisième gaz comprenant le deuxième gaz et à traiter le substrat à traiter. 本開示は、処理容器内の載置台に被処理基板を載置する準備工程と、第１のガスを前記処理容器内に供給して加熱手段で前記被処理基板を加熱する第１の加熱工程と、前記第１のガスの供給を停止して、前記第１のガスとは異なる第２のガスを供給して前記加熱手段で前記被処理基板を加熱する第２の加熱工程と、前記第２のガスを含む第３のガスを供給して前記被処理基板を処理する処理工程と、を有する基板処理方法を提供する。