PROTECTION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

A first gate drive unit 4, if a voltage VDD at a power supply terminal TP is higher than a voltage VSS at a ground terminal TG, outputs a first drive voltage Vd1 for turning on a first transistor M1, the first drive voltage Vd1 being higher than the voltage VSS at the ground terminal TG. A second gate drive unit 5, if the voltage VDD at the power supply terminal TP is lower than the voltage VSS at the ground terminal TG, outputs a second drive voltage Vd2 for turning on a second transistor M2, the second drive voltage Vd2 being higher than the voltage VDD at the power supply terminal TP. La présente divulgation concerne une première unité d'attaque de grille 4 qui, si une tension VDD à une borne d'alimentation TP est supérieure à une tension VSS à une borne de masse TG, délivre une première tension d'attaque Vd1 pour allumer un premier transistor M1, la première tension d'attaque Vd1 étant supérieure à la tension VSS à la borne de masse TG. Une deuxième unité d'attaque de grille 5 qui, si la tension VDD à la borne d'alimentation TP est inférieure à la tension VSS à la borne de masse TG, délivre une deuxième tension d'attaque Vd2 pour allumer un deuxième transistor M2, la deuxième tension d'attaque Vd2 étant supérieure à la tension VDD à la borne d'alimentation TP. 第１ゲート駆動部４は、電源端子ＴＰの電圧ＶＤＤがグランド端子ＴＧの電圧ＶＳＳに比べて高い場合、第１トランジスタＭ１をオンさせる第１駆動電圧Ｖｄ１であって、グランド端子ＴＧの電圧ＶＳＳより高い第１駆動電圧Ｖｄ１を出力する。第２ゲート駆動部５は、電源端子ＴＰの電圧ＶＤＤがグランド端子ＴＧの電圧ＶＳＳ比べて低い場合、第２トランジスタＭ２をオンさせる第２駆動電圧Ｖｄ２であって、電源端子ＴＰの電圧ＶＤＤに比べて高い第２駆動電圧Ｖｄ２を出力する。