FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) TRANSCONDUCTANCE DEVICE WITH VARYING GATE LENGTHS

A field effect transistor (FET) transconductance device with varying gate lengths is disclosed. In one aspect, the varying effective gate lengths are used in a differential architecture to obtain linear even and odd order operation simultaneously. In a particular aspect, the effective gate lengths may be varied according to a differential Multi-Tanh-like architecture. This variation of effective gate lengths enables a compact implementation particularly as compared to varying gate width or emitter areas while also providing linear even and odd order operation simultaneously. L'invention concerne un dispositif de transconductance à transistor à effet de champ (FET) ayant des longueurs de grille variables. Selon un aspect, les longueurs de grille efficaces variables sont utilisées dans une architecture différentielle pour obtenir simultanément un fonctionnement linéaire pair et impair. Dans un aspect particulier, les longueurs de grille efficaces peuvent être modifiées selon une architecture de type multi-tanh différentielle. Cette variation des longueurs de grille efficaces permet une mise en œuvre compacte, en particulier par rapport à des zones de largeur de grille ou d'émetteur variables, tout en fournissant simultanément un fonctionnement linéaire pair et impair.