VERTICAL NOR FLASH THIN FILM TRANSISTOR STRINGS AND FABRICATION THEREOF

A VNOR memory string includes: (a) first and second pillars embedded in multiple composite layers, each composite layer comprising an insulator layer and a conductor layer, the first and second pillars each comprising a first semiconductor material of a first conductivity; (b) a second semiconductor layer of a second conductivity type opposite the first conductivity type on the outside of third pillar also embedded in the composite layers, the third pillar contacting both the first and second pillars; and (c) a storage layer provided between the second semiconductor layer and each of the conductor layer in the composite layers. Une chaîne de mémoire NOR verticale (VNOR) comprend : (a) des premier et deuxième piliers noyés dans de multiples couches composites, chaque couche composite comprenant une couche isolante et une couche conductrice, les premier et deuxième piliers comprenant chacun un premier matériau semi-conducteur d'une première conductivité ; (b) une seconde couche semi-conductrice d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité sur l'extérieur d'un troisième pilier également noyé dans les couches composites, le troisième pilier étant en contact avec les premier et deuxième piliers ; et (c) une couche de stockage disposée entre la seconde couche semi-conductrice et chacune des couches conductrices présentes dans les couches composites.