SWITCH ELEMENT AND MEMORY DEVICE

A switch element according to an embodiment of the present disclosure is provided with a first electrode, a second electrode disposed opposite from the first electrode, and a switch layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the switch layer contains a first element selected from germanium and silicon, a second element selected from arsenic, phosphorus, and antimony, and a third element selected from selenium and tellurium. At least one each of a first layer and a second layer are stacked in the switch layer. The first layer contains at least one of the second elements and at least one of the third elements, contains the third element in the range of 50-80 atom% as the compositional ratio, and has a negative temperature dependence for the threshold voltage. The second layer contains at least one of the first elements and at least one of the third elements, contains the first element in the range of 20-50 atom% as the compositional ratio, and has a positive temperature dependence for the threshold voltage. Un élément de commutation selon un mode de réalisation de la présente invention comporte une première électrode, une seconde électrode disposée à l'opposé de la première électrode, et une couche de commutation disposée entre la première électrode et la seconde électrode, la couche de commutation contenant un premier élément choisi parmi le germanium et le silicium, un deuxième élément choisi parmi l'arsenic, le phosphore et l'antimoine, et un troisième élément choisi parmi le sélénium et le tellure. Au moins une première couche et une seconde couche sont empilées dans la couche de commutation. La première couche contient au moins l'un des deuxièmes éléments et au moins l'un des troisièmes éléments, contient le troisième élément dans la plage de 50 à 80 % atomique en tant que rapport de composition, et a une dépendance vis-à-vis de la température négative pour la tension de seuil. La seconde couche contient au moins un des premiers éléments et au moins un des troisièmes éléments, contient le premier élément dans la plage de 20 à 50 % atomique en tant que rapport de composition, et a une dépendance vis-à-vis de la température positive pour la tension de seuil. 本開示の一実施形態のスイッチ素子は、第１電極と、第１電極と対向配置された第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられると共に、ゲルマニウムおよびシリコンから選ばれる第１の元素と、ヒ素、リンおよびアンチモンから選ばれる第２の元素と、セレンおよびテルルから選ばれる第３の元素とを含むスイッチ層とを備え、スイッチ層は、第１の層と第２の層とを少なくとも１層ずつ積層し、第１の層は、第２の元素のうちの少なくとも１種と、第３の元素のうちの少なくとも１種を含むと共に、第３の元素を組成比で５０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、閾値電圧の温度依存