MOLYBDENUM(IV) AND MOLYBDENUM(III) PRECURSORS FOR DEPOSITION OF MOLYBDENUM FILMS

Molybdenum(IV) and molybdenum(III) coordination complexes are described. Methods for depositing molybdenum-containing films on a substrate are described. The substrate is exposed to a molybdenum precursor and a reactant to form the molybdenum-containing film (e.g., elemental molybdenum, molybdenum o...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: YONG, Doreen, HUYNH, Han, DORDEVIC, Nemanja, LEONCINI, Andrea, MEHLMANN, Paul
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Molybdenum(IV) and molybdenum(III) coordination complexes are described. Methods for depositing molybdenum-containing films on a substrate are described. The substrate is exposed to a molybdenum precursor and a reactant to form the molybdenum-containing film (e.g., elemental molybdenum, molybdenum oxide, molybdenum carbide, molybdenum silicide, molybdenum nitride). The exposures can be sequential or simultaneous. L'invention concerne des complexes de coordination en molybdène (IV) et molybdène (III). La présente invention concerne des procédés de dépôt de films contenant du molybdène sur un substrat. Le substrat est exposé à un précurseur de molybdène et à un réactif pour former le film contenant du molybdène (par exemple, du molybdène élémentaire, de l'oxyde de molybdène, du carbure de molybdène, du siliciure de molybdène, du nitrure de molybdène). Les expositions peuvent être séquentielles ou simultanées.