OHMIC-CONTACT-GATED CARBON NANOTUBE TRANSISTORS, FABRICATING METHODS AND APPLICATIONS OF SAME

One aspect of this invention relates to an ohmic-contact-gated transistor (OCGT), comprising a bottom gate electrode formed on a substrate; a first dielectric layer formed on the bottom gate electrode; a thin film formed of a semiconducting material on the first dielectric layer; a bottom contact formed on a part of the thin film; a second dielectric layer conformally grown on the bottom contact to result in a self-aligned dielectric extension from the bottom contact on the thin film; and a top contact formed on the second dielectric layer on the top of the bottom contact and fully overlapping with the dielectric extension to define a device channel in the thin film under the dielectric extension between the bottom contact and the top contact. Un aspect de la présente invention concerne un transistor à grille de contact ohmique (OCGT), comprenant une électrode de grille inférieure formée sur un substrat ; une première couche diélectrique formée sur l'électrode de grille inférieure ; un film mince formé d'un matériau semi-conducteur sur la première couche diélectrique ; un contact inférieur formé sur une partie du film mince ; une seconde couche diélectrique développée de manière conforme sur le contact inférieur pour conduire à une extension diélectrique auto-alignée à partir du contact inférieur sur le film mince ; et un contact supérieur formé sur la seconde couche diélectrique sur la partie supérieure du contact inférieur et chevauchant complètement l'extension diélectrique pour délimiter un canal de dispositif dans le film mince sous l'extension diélectrique entre le contact inférieur et le contact supérieur.