SYSTEMS AND TECHNIQUES FOR OPTICAL MEASUREMENT OF THIN FILMS

Methods provided herein may include illuminating a region on a wafer within a semiconductor processing tool, the wafer having a layer of a material that is at least semi-transparent to light and has a measurable extinction coefficient, and the region being a first fraction of the wafer's surface, detecting light reflected off the material and off a surface underneath the material using one or more detectors and generating optical data corresponding to the detected light, generating a metric associated with a property of the material on the wafer by applying the optical data to a transfer function that relates the optical data to the metric associated with the property of the material on the wafer, determining an adjustment to one or more processing parameters for a processing module, and performing or modifying a processing operation in the processing module according to the adjusted one or more processing parameters. Les procédés selon l'invention peuvent consister à éclairer une région sur une tranche à l'intérieur d'un outil de traitement de semi-conducteurs, la tranche présentant une couche d'un matériau qui est au moins semi-transparente à la lumière et présentant un coefficient d'extinction mesurable, et la région étant une première fraction de la surface de la tranche, à détecter la lumière réfléchie depuis le matériau et depuis une surface sous le matériau au moyen d'un ou de plusieurs détecteurs et à générer des données optiques correspondant à la lumière détectée, à générer une mesure associée à une propriété du matériau sur la tranche par l'application des données optiques à une fonction de transfert qui associe les données optiques à la mesure associée à la propriété du matériau sur la tranche, à déterminer un réglage d'un ou de plusieurs paramètres de traitement pour un module de traitement, et à réaliser ou à modifier une opération de traitement dans le module de traitement en fonction dudit/desdits paramètre(s) de traitement réglé(s).