A SILICON-BASED CLOSED AND INTEGRATED PLATFORM FOR THE INVESTIGATION OF RADIATION TRANSFER AT MICRO-NANO SCALE
The invention is a closed and integrated NFR platform (12) for inspection of radiation transfer at micro-nano scale, and comprises of an emitter (5) comprises of a silicon carbide thin film (2) coated on a silicon substrate (1), a receiver (6) comprising a silicon carbide thin film (2) coated on a s...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | The invention is a closed and integrated NFR platform (12) for inspection of radiation transfer at micro-nano scale, and comprises of an emitter (5) comprises of a silicon carbide thin film (2) coated on a silicon substrate (1), a receiver (6) comprising a silicon carbide thin film (2) coated on a silicon substrate (1). The silicon carbide thin films (2) of the emitter (5) and the receiver (6) are coated and bonded under vacuum along their patterned contact surfaces, silicon dioxide intermediate pillars such that distance between the emitter (5) and the receiver (6) is smaller than thermal radiation wavelength and parallel to each other. The attained integrated structure (7) at wafer size is diced to obtain 3cmx3cm chips. The fabrication method of the NFR platform (12) is within the scope of the invention.
L'invention est une plate-forme NFR fermée et intégrée (12) pour l'inspection du transfert de rayonnement à l'échelle micrométrique-nanométrique, et comprend un émetteur (5) constitué d'un film mince de carbure de silicium (2) revêtu sur un substrat de silicium (1), un récepteur (6) comprenant un film mince de carbure de silicium (2) revêtu sur un substrat de silicium (1). Les films minces de carbure de silicium (2) de l'émetteur (5) et du récepteur (6) sont revêtus et liés sous vide le long de leurs surfaces de contact à motifs, avec des piliers intermédiaires de dioxyde de silicium de sorte que la distance entre l'émetteur (5) et le récepteur (6) est inférieure à la longueur d'onde de rayonnement thermique et parallèle l'un à l'autre. La structure intégrée obtenue (7) au niveau de la taille de la tranche est découpée pour obtenir des puces de 3 cmx3cm. Le procédé de fabrication de la plate-forme NFR (12) se situe dans le cadre de l'invention. |
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