GLASS SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING GLASS SUBSTRATE

The present invention enables a semiconductor device to be appropriately manufactured. A glass substrate (10) is a glass substrate for manufacturing a semiconductor device, wherein when one surface (10A) of the glass substrate faces downward in the vertical direction, and a first position (P1A), a second position (P2A), and a third position (P3A) of the one surface (10A), which are radially outside the center point (O) of the glass substrate (10), are supported by supporting members (B), the lowest point (SB1) of the other surface (10B), which is the position where the height in the vertical direction is the lowest, is located in a circular central region (AR) which is radially inside from the first position (P1A), the second position (P2A), and the third position (P3A) when viewed from the vertical direction, and has a center that is the center point (O) of the glass substrate (10), and the diameter (D1) is one-third the diameter (W) of the glass substrate (10). La présente invention permet de fabriquer de manière appropriée un dispositif à semi-conducteur. L'invention concerne un substrat en verre (10) étant un substrat en verre pour la fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Lorsqu'une surface (10A) du substrat de verre est orientée vers le bas dans la direction verticale, et une première position (P1A), une deuxième position (P2A), et une troisième position (P3A) de ladite surface (10A), qui sont radialement à l'extérieur du point central (O) du substrat de verre (10), sont supportées par des éléments de support (B), le point le plus bas (SB1) de l'autre surface (10B), qui est la position où la hauteur dans la direction verticale est la plus basse, est situé dans une région centrale circulaire (AR) qui est radialement à l'intérieur à partir de la première position (P1A), la deuxième position (P2A), et la troisième position (P3A) vu depuis la direction verticale, et présente un centre qui est le point central (O) du substrat en verre (10), et le diamètre (D1) est un tiers du diamètre (W) du substrat en verre (10). 半導体デバイスを適切に製造する。ガラス基板（１０）は、半導体デバイスの製造用のガラス基板であって、一方の表面（１０Ａ）を鉛直方向下方に向け、一方の表面（１０Ａ）の、ガラス基板（１０）の中心点（Ｏ）よりも径方向の外側の第１位置（Ｐ１Ａ）、第２位置（Ｐ２Ａ）、及び第３位置（Ｐ３Ａ）を、支持部材（Ｂ）で支持した場合に、他方の表面（１０Ｂ）のうちで鉛直方向における高さが最低となる位置である最低点（ＳＢ１）が、鉛直方向から見て、第１位置（Ｐ１Ａ）、第２位置（Ｐ２Ａ）、及び第３位置（Ｐ３Ａ）よりも径方向内側であって、かつ、中心がガラス基板（１０）の中心点（Ｏ）となり直径（Ｄ１）がガラス基板（１０）の直径（Ｗ）に対して１／３の長さとなる円形の中央領域（ＡＲ）内に位置する。