ELECTROLESS PLATING APPARATUS

Provided is an electroless plating apparatus with which it is possible to form uniform and quality nickel plating on a plating surface of a semiconductor wafer, while accounting for cost reduction and environmental load. The electroless plating apparatus comprises: a plating bath; a reserve bath; a holding means for holding a plurality of semiconductor wafers upright at regular intervals; a plating solution circulating path; a circulating pump; a flowmeter; and a plating solution supply pipe having a plurality of ejection holes formed in an upper part thereof at regular intervals. The regular intervals at which the plurality of semiconductor wafers are held upright by the holding means are the same as the regular intervals at which the plurality of ejection holes are formed in the upper part of the plating solution supply pipe. When the holding means is installed on the upper part of the plating solution supply pipe installed at the lowermost part of the plating bath, the plurality of ejection holes formed in the upper part of the plating solution supply pipe are positioned within the regular intervals between the plurality of semiconductor wafers being held by the holding means. L'invention concerne un appareil de dépôt autocatalytique à l'aide duquel il est possible de former un dépôt de nickel uniforme et de qualité sur une surface de dépôt d'une tranche de semi-conducteur tout en tenant compte de la réduction des coûts et de la charge environnementale. L'appareil de dépôt autocatalytique comprend : un bain de dépôt ; un bain de réserve ; un moyen de maintien destiné à maintenir une pluralité de tranches de semi-conducteur verticalement à des intervalles réguliers ; un trajet de circulation de solution de dépôt ; une pompe de circulation ; un débitmètre ; et un tuyau d'alimentation en solution de dépôt présentant une pluralité de trous d'éjection formés dans une partie supérieure de ce dernier à des intervalles réguliers. Les intervalles réguliers au niveau desquels la pluralité de tranches de semi-conducteur est maintenue verticalement par les moyens de maintien sont les mêmes que les intervalles réguliers au niveau desquels la pluralité de trous d'éjection sont formés dans la partie supérieure du tuyau d'alimentation en solution de dépôt. Lorsque le moyen de maintien est installé sur la partie supérieure du tuyau d'alimentation en solution de dépôt installé au niveau de la partie la plus basse du bain de dépôt, la pluralité de trous d'éjection formés