MONOLITHIC DETECTOR

A monolithic detector may be used in a charged particle beam apparatus. The detector may include a plurality of sensing elements (311) formed on a first side of a semiconductor substrate, each of the sensing elements configured to receive charged particles emitted from a sample and to generate carriers in proportion to a first property of a received charged particle, and a plurality of signal processing components formed on a second side of the semiconductor substrate, the plurality of signal processing components being part of a system configured to determine a value that represents a second property of the received charged particle. The substrate may have a thickness in a range from about 10 to 30 μm. The substrate may include a region configured to insulate the plurality of sensing elements formed on the first side from the plurality of signal processing components formed on the second side. Un détecteur monolithique selon l'invention peut être utilisé dans un appareil à faisceau de particules chargées. Le détecteur peut comprendre une pluralité d'éléments de détection (311) formés sur un premier côté d'un substrat semi-conducteur, chacun des éléments de détection étant configuré pour recevoir des particules chargées émises à partir d'un échantillon et pour générer des porteurs en proportion d'une première propriété d'une particule chargée reçue et une pluralité de composants de traitement de signal formés sur un second côté du substrat semi-conducteur, la pluralité de composants de traitement de signal faisant partie d'un système configuré pour déterminer une valeur qui représente une seconde propriété de la particule chargée reçue. Le substrat peut avoir une épaisseur dans une plage d'environ 10 à 30 µm. Le substrat peut comprendre une région configurée pour isoler, de la pluralité de composants de traitement de signal formés sur le second côté, la pluralité d'éléments de détection formés sur le premier côté.