INTERGRATED WIRE-GRID POLARIZER

A device (100, 200, 300, 400, 500) fabricated in a MOS process is disclosed, wherein the device comprises a plurality of conductive elements (110, 210, 310, 410, 510) separated by sidewall spacer structures (115, 215, 315, 415, 515) and configured as an integrated wire-grid polarizer. Also disclosed...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: LECHNER, Franz
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A device (100, 200, 300, 400, 500) fabricated in a MOS process is disclosed, wherein the device comprises a plurality of conductive elements (110, 210, 310, 410, 510) separated by sidewall spacer structures (115, 215, 315, 415, 515) and configured as an integrated wire-grid polarizer. Also disclosed is an integrated ambient light sensor (600), and an associated method of fabricating a device in a MOS process. Un dispositif (100, 200, 300, 400, 500) fabriqué dans un procédé MOS est divulgué, le dispositif comprenant une pluralité d'éléments conducteurs (110, 210, 310, 410, 510) séparés par des structures d'espacement de paroi latérale (115, 215, 315, 415, 515) et configurés sous la forme d'un polariseur à grille métallique intégré. Est également divulgué un capteur de lumière ambiante intégré (600), et un procédé associé de fabrication d'un dispositif dans un procédé MOS.