QUAD-LAYER HIGH-K FOR METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS

QUAD-LAYER HIGH-K FOR METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS

A semiconductor structure, and a method of making the same includes a multiple electrode stacked capacitor containing a sequence of first metal layers interleaved with second metal layers. A quad-layer stack separates each of the first metal layers from each of the second metal layers, the quad-laye...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: JAMISON, Paul Charles, MASSEY, John Greg, ANDO, Takashi, CHOI, Kisik, CARTIER, Eduard Albert
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
ELECTRICITY
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creator JAMISON, Paul Charles
MASSEY, John Greg
ANDO, Takashi
CHOI, Kisik
CARTIER, Eduard Albert
description A semiconductor structure, and a method of making the same includes a multiple electrode stacked capacitor containing a sequence of first metal layers interleaved with second metal layers. A quad-layer stack separates each of the first metal layers from each of the second metal layers, the quad-layer dielectric stack includes a first dielectric layer made of Al2O3, a second dielectric layer made of HfO2, a third dielectric layer made of Al2O3, and a fourth dielectric layer made of HfO2. Une structure semi-conductrice et son procédé de fabrication comprennent un condensateur empilé à électrodes multiples contenant une séquence de premières couches métalliques entrelacées avec des secondes couches métalliques. Un empilement à quatre couches sépare chacune des premières couches métalliques de chacune des secondes couches métalliques, l'empilement diélectrique à quatre couches comprend une première couche diélectrique constituée d'Al2O3, une deuxième couche diélectrique constituée de HfO2, une troisième couche diélectrique constituée d'Al2O3 et une quatrième couche diélectrique constituée de HfO2.
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A quad-layer stack separates each of the first metal layers from each of the second metal layers, the quad-layer dielectric stack includes a first dielectric layer made of Al2O3, a second dielectric layer made of HfO2, a third dielectric layer made of Al2O3, and a fourth dielectric layer made of HfO2. Une structure semi-conductrice et son procédé de fabrication comprennent un condensateur empilé à électrodes multiples contenant une séquence de premières couches métalliques entrelacées avec des secondes couches métalliques. Un empilement à quatre couches sépare chacune des premières couches métalliques de chacune des secondes couches métalliques, l'empilement diélectrique à quatre couches comprend une première couche diélectrique constituée d'Al2O3, une deuxième couche diélectrique constituée de HfO2, une troisième couche diélectrique constituée d'Al2O3 et une quatrième couche diélectrique constituée de HfO2.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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