QUAD-LAYER HIGH-K FOR METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS

A semiconductor structure, and a method of making the same includes a multiple electrode stacked capacitor containing a sequence of first metal layers interleaved with second metal layers. A quad-layer stack separates each of the first metal layers from each of the second metal layers, the quad-layer dielectric stack includes a first dielectric layer made of Al2O3, a second dielectric layer made of HfO2, a third dielectric layer made of Al2O3, and a fourth dielectric layer made of HfO2. Une structure semi-conductrice et son procédé de fabrication comprennent un condensateur empilé à électrodes multiples contenant une séquence de premières couches métalliques entrelacées avec des secondes couches métalliques. Un empilement à quatre couches sépare chacune des premières couches métalliques de chacune des secondes couches métalliques, l'empilement diélectrique à quatre couches comprend une première couche diélectrique constituée d'Al2O3, une deuxième couche diélectrique constituée de HfO2, une troisième couche diélectrique constituée d'Al2O3 et une quatrième couche diélectrique constituée de HfO2.