CELL ARCHITECTURE WITH AN ADDITIONAL OXIDE DIFFUSION REGION

A MOS device (300) includes a set of pMOS transistors (302) on a first side of an IC. The set of pMOS transistors is adjacent to each other in a second direction. The MOS device further includes a set of nMOS transistors (312) on a second side of the IC. The set of nMOS transistors is adjacent to each other in the second direction. The second side is opposite the first side in a first direction orthogonal to the second direction. The MOS device further includes an OD region (324) between the set of pMOS transistors and the set of nMOS transistors. A first set of gate interconnects (326) may extend in the first direction over the OD region. A set of contacts (328) may contact the OD region. The OD region, the first set of gate interconnects, and the set of contacts may form a set of transistors configured as dummy transistors or decoupling capacitors. Un dispositif MOS (300) comprend un ensemble de transistors pMOS (302) sur un premier côté d'un CI. Les transistors pMOS de l'ensemble sont mutuellement adjacents dans une seconde direction. Le dispositif MOS comprend en outre un ensemble de transistors nMOS (312) sur un second côté du CI. Les transistors nMOS de l'ensemble sont mutuellement adjacents dans la seconde direction. Le second côté est opposé au premier côté dans une première direction orthogonale à la seconde direction. Le dispositif MOS comprend en outre une région OD (324) entre l'ensemble de transistors pMOS et l'ensemble de transistors nMOS. Un premier ensemble d'interconnexions de grille (326) peut s'étendre dans la première direction sur la région OD. Un ensemble de contacts (328) peut entrer en contact avec la région OD. La région OD, le premier ensemble d'interconnexions de grille et l'ensemble de contacts peuvent former un ensemble de transistors configurés comme des transistors factices ou des condensateurs de découplage.