FLIP CHIP MICRO LIGHT EMITTING DIODES

A micro-light emitting diode (uLED) device comprises: a mesa comprising: a plurality of semiconductor layers including an n-type layer, an active layer, and a p-type layer; a p-contact layer contacting the p-type layer; a cathode contacting the first sidewall of the n-type layer; a first region of dielectric material that insulates the p-contact layer, the active layer, and a first sidewall of the p-type layer from the cathode; an anode contacting the top surface of the p-contact layer; and a second region of dielectric material that insulates the active layer, a second sidewall of the p-type layer, and the second sidewall of the n-type layer from the anode. The top surface of the p-contact layer has a different planar orientation compared to the first and second sidewalls of the n-type layer. Methods of making and using the uLED devices are also provided. Un dispositif à micro-diodes électroluminescentes (uLED) comprend : une mesa comprenant : une pluralité de couches semi-conductrices comprenant une couche de type n, une couche active et une couche de type p ; une couche de contact p en contact avec la couche de type p ; une cathode en contact avec la première paroi latérale de la couche de type n ; une première région de matériau diélectrique qui isole la couche de contact p, la couche active, et une première paroi latérale de la couche de type p à partir de la cathode ; une anode en contact avec la surface supérieure de la couche de contact p ; et une seconde région de matériau diélectrique qui isole la couche active, une seconde paroi latérale de la couche de type p, et la seconde paroi latérale de la couche de type n de l'anode. La surface supérieure de la couche de contact p a une orientation plane différente par rapport aux première et seconde parois latérales de la couche de type n. L'invention concerne également des procédés de fabrication et d'utilisation des dispositifs uLED.