SEMICONDUCTOR DEVICE

Provided is a semiconductor device capable of reducing switching loss at the time of turn-off, while suppressing a conduction loss. A semiconductor device 1 comprises an emitter p- layer 11, a collector p layer 23, a drift layer 10, an emitter electrode 18, a collector electrode 28, an emitter-side gate electrode 17, an emitter n layer 12, a collector p- layer 23a, a collector-side gate electrode 27, and a collector n layer 22. A total length in a gate width direction of the emitter-side gate electrode 17 in a first opposing region opposing the emitter p- layer 11 with a gate insulating film 15 therebetween is greater than a total length in the gate width direction of the collector-side gate electrode 27 in a second opposing region opposing an impurity layer 23a with a collector-side gate insulating film 25 therebetween. Est prévu un dispositif à semi-conducteur permettant de réduire la perte de commutation au moment de l'arrêt, tout en supprimant une perte de conduction. Un dispositif à semi-conducteur 1 comprend une couche émettrice p- 11, une couche collectrice p 23, une couche de dérive 10, une électrode émettrice 18, une électrode collectrice 28, une électrode de grille côté émission 17, une couche émettrice n 12, une couche collectrice p- 23a, une électrode de grille côté collecteur 27 et une couche collectrice n 22. Une longueur totale dans une direction de largeur de grille de l'électrode de grille côté émetteur 17 dans une première région opposée à l'opposé de la couche émettrice p- 11 avec un film isolant de grille 15 entre celles-ci est supérieure à une longueur totale dans la direction de largeur de grille de l'électrode de grille côté collecteur 27 dans une seconde région opposée à l'opposé d'une couche d'impuretés 23a avec un film isolant de grille côté collecteur 25 entre celles-ci. 導通時損失を抑えながら、ターンオフ時のスイッチング損失を低減することができる半導体装置を提供する。エミッタｐ－層１１、コレクタｐ層２３、ドリフト層１０、エミッタ電極１８、コレクタ電極２８、エミッタ側ゲート電極１７、エミッタｎ層１２、コレクタｐ－層２３ａ、コレクタ側ゲート電極２７、コレクタｎ層２２により半導体装置１を構成し、エミッタ層ｐ－１１とゲート絶縁膜１５を介して対向している、エミッタ側ゲート電極１７の第一対向領域におけるゲート幅方向の長さの合計を、不純物層２３ａとコレクタ側ゲート絶縁膜２５を介して対向している、コレクタ側ゲート電極２７の第二対向領域におけるゲート幅方向の長さの合計よりも長くする。