SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

A semiconductor device comprises: a drift region that is arranged on a main surface of a substrate, and has a higher impurity concentration than the substrate; a first well region connected to the drift region; and a second well region that is arranged adjacent to the first well region and faces the drift region. The second well region has a higher impurity concentration than the first well region. In a direction parallel to the main surface of the substrate, the distance between a source region facing the drift region and the drift region with the first well region interposed therebetween is longer than the distance between the second well region and the drift region. A depletion layer extending from the second well region reaches the drift region. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une région de dérive qui est disposée sur une surface principale d'un substrat, et contient une concentration d'impuretés plus élevée que le substrat; une première région de puits reliée à la région de dérive; et une seconde région de puits qui est disposée de manière adjacente à la première région de puits et en regard de la région de dérive. La seconde région de puits contient une concentration d'impuretés plus élevée que la première région de puits. Dans une direction parallèle à la surface principale du substrat, la distance entre une région source faisant face à la région de dérive et la région de dérive avec la première région de puits interposée entre elles est plus longue que la distance entre la seconde région de puits et la région de dérive. Une couche d'appauvrissement s'étendant à partir de la seconde région de puits atteint la région de dérive. 半導体装置は、基板の主面に配置された、基板よりも不純物濃度が高いドリフト領域と、ドリフト領域と接続する第1ウェル領域と、第1ウェル領域に隣接して配置されてドリフト領域と対向する第2ウェル領域を備える。第2ウェル領域は、第1ウェル領域よりも不純物濃度が高い。基板の主面と平行な方向において、第1ウェル領域を介してドリフト領域と対向するソース領域とドリフト領域の間の距離は、第2ウエル領域とドリフト領域の間の距離よりも長い。第2ウェル領域から延伸する空乏層は、ドリフト領域に到達する。