OXIDE-BONDED WAFER PAIR SEPARATION USING LASER DEBONDING

A method of fabricating a semiconductor structure includes forming a scissionable layer that is able to absorb infrared (IR) radiation, below a first carrier wafer. A first hard-dielectric layer is formed below the scissionable layer. A second hard-dielectric layer is formed on a top surface of a semiconductor wafer. The first dielectric layer is bonded with the second dielectric layer. Connectors on a bottom portion of the semiconductor wafer are formed to provide an electric connection to the semiconductor wafer. A second carrier wafer is connected to the connectors on the bottom portion of the semiconductor wafer. The first carrier wafer is separated from the semiconductor wafer by degrading the scissionable layer with an IR, by passing the IR through the first carrier wafer. A back end of line (BEOL) wiring passing from a top surface of the semiconductor wafer through the first and second dielectric layers is provided. Un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice comprend la formation d'une couche pouvant être découpée qui peut absorber un rayonnement infrarouge (IR), au-dessous d'une première tranche de support. Une première couche diélectrique dure est formée en dessous de la couche pouvant être découpée. Une seconde couche diélectrique dure est formée sur une surface supérieure d'une tranche de semi-conducteur. La première couche diélectrique est liée à la seconde couche diélectrique. Des connecteurs sur une partie inférieure de la tranche de semi-conducteur sont formés pour fournir une connexion électrique à la tranche de semi-conducteur. Une seconde tranche de support est connectée aux connecteurs sur la partie inférieure de la tranche de semi-conducteur. La première tranche de support est séparée de la tranche de semi-conducteur par dégradation de la couche pouvant être découpée avec un rayonnement infrarouge, par acheminement du rayonnement infrarouge à travers la première tranche de support. Une câblage côté passif (back end of line, BEOL) passant d'une surface supérieure de la tranche de semi-conducteur à travers les première et seconde couches diélectriques est fourni.