STRUCTURE AND METHOD OF MIRROR GROUNDING IN LCOS DEVICES

Processing methods may be performed to form a grounded mirror structure on a semiconductor substrate. The methods may include revealing a metal layer. The metal layer may underlie a spacer layer. The metal layer may be revealed by a dry etch process. The method may include forming a mirror layer overlying the spacer layer and the metal layer. The mirror layer may contact the metal layer. The method may also include forming an oxide inclusion overlying a portion of the mirror layer. The portion of the mirror layer may be external to the spacer layer. Des procédés de traitement peuvent être mis en œuvre pour former une structure de miroir mis à la terre sur un substrat semi-conducteur. Les procédés peuvent comprendre la révélation d'une couche métallique. La couche métallique peut être sous-jacente à une couche d'espacement. La couche métallique peut être révélée par un procédé de gravure à sec. Le procédé peut comprendre la formation d'une couche de miroir recouvrant la couche d'espacement et la couche métallique. La couche de miroir peut être en contact avec la couche métallique. Le procédé peut également comprendre la formation d'une inclusion d'oxyde recouvrant une partie de la couche de miroir. Ladite partie de la couche de miroir peut être externe à la couche d'espacement.