IMAGING DEVICE

An imaging device according to an embodiment of the present disclosure comprises: pixels in which a plurality of photoelectric conversion regions are formed in parallel in a surface of a semiconductor substrate; a first transistor which is provided over each of the plurality of photoelectric conversion regions and extracts charges generated in the plurality of photoelectric conversion regions; first separation parts provided so as to be continuous around the periphery of the plurality of photoelectric conversion regions; and second separation parts which are provided adjacent to the first separation regions between the adjacent photoelectric conversion regions, and to which a predetermined electric potential is indirectly applied by individually applying electric potentials to a lower section of the first transistor and to the first separation parts. Un dispositif d'imagerie selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : des pixels dans lesquels une pluralité de régions de conversion photoélectrique sont formées en parallèle dans une surface d'un substrat semi-conducteur ; un premier transistor qui est disposé sur chacune de la pluralité de régions de conversion photoélectrique et qui extrait des charges générées dans la pluralité de régions de conversion photoélectrique ; des premières parties de séparation disposées de façon à être continues autour de la périphérie de la pluralité de régions de conversion photoélectrique ; et des secondes parties de séparation qui sont disposées de manière adjacentes aux premières régions de séparation entre les régions de conversion photoélectrique adjacentes, et à laquelle un potentiel électrique prédéterminé est appliqué indirectement par application individuelle de potentiels électriques à une section inférieure du premier transistor et aux premières parties de séparation. 本開示の一実施形態の撮像装置は、半導体基板の面内に複数の光電変換領域が並列に形成された画素と、複数の光電変換領域それぞれの上方に設けられ、複数の光電変換領域において生じた電荷を取り出す第１のトランジスタと、複数の光電変換領域の周囲に連続して設けられた第１の分離部と、隣り合う複数の光電変換領域の間に第１の分離部と隣接して設けられ、第１のトランジスタの下方および第１の分離部に個別に電位を印加することにより間接的に所定の電位が印加される第２の分離部とを備える。