OPTOELECTRONIC COMPONENT

The invention relates to an optoelectronic component (1) suitable for being integrated into an optoelectronic circuit, the component (1) comprising: - a III-V semiconductor membrane comprising: * a P-doped layer (2), referred to as the P layer, * an intrinsic layer (3) deposited on the P layer (2),...

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Hauptverfasser: RAINERI, Fabrice, SANCHEZ, Dorian, MANEGATTI, Francesco
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:The invention relates to an optoelectronic component (1) suitable for being integrated into an optoelectronic circuit, the component (1) comprising: - a III-V semiconductor membrane comprising: * a P-doped layer (2), referred to as the P layer, * an intrinsic layer (3) deposited on the P layer (2), and * an N-doped layer (4), referred to as the N layer, deposited on the intrinsic layer (3); - an asymmetrical photonic crystal waveguide (6, 16, 26), referred to as the PhC waveguide, formed in the membrane by a two-dimensional photonic crystal on one longitudinal side and by a face with total internal reflection on the other longitudinal side; - electrical contacts (10, 11) arranged respectively on either side of the PhC waveguide (6, 16, 26) in the plane of the membrane, adapted to inject electrical charge carriers into the PhC waveguide (6, 16, 26) laterally with respect to the membrane; the layers (2, 3, 4) being arranged such that the intrinsic and N layers (3, 4) only partially cover the P layer (2), forming a side face (5) extending perpendicularly from the surface of the P layer (2), a portion of the side face (5) forming the face with total internal reflection of the PhC waveguide; the PhC waveguide (6, 16, 26) being arranged to be evanescently coupled to a passive semiconductor waveguide (12) in at least one coupling region. L'invention concerne un composant optoélectronique (1) adapté pour être intégré dans un circuit optoélectronique, le composant (1) comprenant : - une membrane semi-conducteur III- V comprenant : * une couche dopé P (2), dite couche P, * une couche intrinsèque (3) déposée sur la couche P (2), et * une couche dopé N (4), dite couche N, déposée sur la couche intrinsèque (3); - un guide d'onde asymétrique (6, 16, 26) à cristal photonique, dit guide d'onde CP, formé dans la membrane par un cristal photonique bidimensionnel d'un côté longitudinal et par une face à réflexion totale interne de l'autre côté longitudinal; - des contacts électriques (10, 11) agencés respectivement de part et d'autre du guide d'onde CP (6, 16, 26) dans le plan de la membrane, adaptés pour injecter des porteurs de charges électriques dans le guide d'onde CP (6, 16, 26) de manière latérale par rapport à la membrane; les couches (2, 3, 4) étant agencées de sorte à ce que les couches intrinsèque et N (3, 4) ne couvrent la couche P (2) que partiellement, formant une face latérale (5) s'étendant perpendiculairement de la surface de la couche P (2), une partie de l