CHANNEL STRUCTURES HAVING PROTRUDING PORTIONS IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

A first opening extending vertically through a dielectric stack is formed above a substrate. The dielectric stack includes vertically interleaved dielectric layers and sacrificial layers. Parts of the sacrificial layers facing the opening are removed to form a plurality of first recesses. A plurality of stop structures are formed along sidewalls of the plurality of first recesses. A plurality of storage structures are formed over the plurality of stop structures in the plurality of first recesses. The plurality of sacrificial layers are removed to expose the plurality of stop structures from a plurality of second recesses opposing the plurality of first recesses. The plurality of stop structures are removed to expose the plurality of storage structures. A plurality of blocking structures are formed over the plurality of storage structures in the plurality of second recesses. L'invention concerne une première ouverture s'étendant verticalement à travers un empilement diélectrique qui est formé au-dessus d'un substrat. L'empilement diélectrique comprend verticalement des couches diélectriques et des couches sacrificielles entrelacées. Des parties des couches sacrificielles faisant face à l'ouverture sont retirées pour former une pluralité de premiers évidements. Une pluralité de structures d'arrêt sont formées le long de parois latérales de la pluralité de premiers évidements. Une pluralité de structures de stockage sont formées sur la pluralité de structures d'arrêt dans la pluralité de premiers évidements. La pluralité de couches sacrificielles sont retirées pour exposer la pluralité de structures d'arrêt à partir d'une pluralité de seconds évidements opposés à la pluralité de premiers évidements. La pluralité de structures d'arrêt sont retirées pour exposer la pluralité de structures de stockage. Une pluralité de structures de blocage sont formées sur la pluralité de structures de stockage dans la pluralité de seconds évidements.