METHOD OF PRODUCING SINGLE CRYSTALLINE BORON NITRIDE NANOSHEETS AND BORON CARBON NITRIDE NANOSHEETS

There is provided a method for producing SC-BNNS and SC-BCNNS. A thermal plasma is provided at a plasma zone of a reaction chamber having an outlet opposite the plasma zone, a condensation zone and a growth zone downstream. The gas flows in the chamber have a laminar flow which provides a controlled residence time in a nucleation temperature field. A plasma-source gas flow is provided and has a plasma-source gas, and a sheath gas flow including nitrogen-containing gas to provide an excess of nitrogen. A boron source is provided to the thermal plasma through a probe to provide boron atomic species. A carbon source is provided for the production of SC-BCNNS. The process includes a controlled quenching step in the condensation zone followed by two-dimensional nucleation of SC-BNNS or SC-BCNNS in the growth zone, and the pressure in the chamber is maintained between 20 to 200 kPa. L'invention concerne une méthode de production de SC-BNNS et de SC-BCNNS. Un plasma thermique est prévu au niveau d'une zone de plasma d'une chambre de réaction ayant une sortie opposée à la zone de plasma, une zone de condensation et une zone de croissance en aval. Les flux de gaz dans la chambre ont un flux laminaire qui fournit un temps de séjour contrôlé dans un champ de température de nucléation. Un flux de gaz de source de plasma est fourni et a un gaz de source de plasma, et un flux de gaz de gainage comprenant un gaz contenant de l'azote pour fournir un excès d'azote. Une source de bore est fournie au plasma thermique à travers une sonde pour fournir des espèces atomiques de bore. Une source de carbone est utilisée pour la production de SC-BCNNS. Le procédé comprend une étape de trempe contrôlée dans la zone de condensation suivie d'une nucléation bidimensionnelle de SC-BNNS ou de SC-BCNNS dans la zone de croissance, et la pression dans la chambre est maintenue entre 20 et 200 kPa.