METHOD FOR FILLING RECESSED FEATURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES WITH A LOW-RESISTIVITY METAL

A method for filling recessed features with a low-resistivity metal includes providing a patterned substrate containing a recessed feature formed in a first layer and a second layer that is exposed in the recessed feature, pre-treating the substrate with a surface modifier that increases metal deposition selectivity on the second layer relative to on the first layer, and depositing a metal layer on the substrate by vapor phase deposition, where the metal layer is preferentially deposited on the second layer in the recessed feature. The method further includes removing metal nuclei deposited on the first layer, including on a field area and on sidewalls of the first layer in the recessed feature, to selectively form the metal layer on the second layer in the recessed feature, where the removing includes exposing the patterned substrate to an etching gas containing ozone. L'invention concerne un procédé permettant de remplir des éléments évidés avec un métal à faible résistivité qui consiste à utiliser un substrat à motifs contenant un élément évidé formé dans une première couche et une seconde couche qui est exposée dans l'élément évidé, à prétraiter le substrat avec un modificateur de surface qui augmente la sélectivité de dépôt de métal sur la seconde couche par rapport à la première couche, et à déposer une couche métallique sur le substrat par dépôt en phase vapeur, la couche métallique étant, de préférence, déposée sur la seconde couche dans l'élément évidé. Le procédé consiste en outre à enlever des noyaux métalliques déposés sur la première couche, y compris sur une zone de champ et sur des parois latérales de la première couche dans l'élément évidé, pour former de manière sélective la couche métallique sur la seconde couche dans l'élément évidé, l'enlèvement consistant à exposer le substrat à motifs à un gaz de gravure contenant de l'ozone.