THREE-DIMENSIONAL DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) AND METHODS OF FORMING THE SAME

Examples herein relate to three-dimensional (3D) dynamic random access memory (DRAM) and corresponding methods. In an example, a film stack is formed on a substrate. The film stack includes multiple unit stacks, each having, sequentially, a first dielectric layer, a semiconductor layer, and a second dielectric layer. A first opening is formed through the film stack. The second dielectric layer is pulled back from the first opening forming a first lateral recess. A gate structure is formed in the first lateral recess and disposed on a portion of the semiconductor layer. A second opening, laterally disposed from where the first opening was formed, is formed through the film stack. The portion of the semiconductor layer is pulled back from the second opening forming a second lateral recess. A capacitor is formed in a region where the second lateral recess was disposed and contacting the portion of the semiconductor layer. Des exemples de la présente invention concernent une mémoire vive dynamique (DRAM) tridimensionnelle et des procédés correspondants. Dans un exemple, un empilement de films est formé sur un substrat. L'empilement de films comprend de multiples empilements unitaires, chacun ayant, de manière séquentielle, une première couche diélectrique, une couche semi-conductrice et une seconde couche diélectrique. Une première ouverture est formée à travers l'empilement de films. La seconde couche diélectrique est retirée de la première ouverture en formant un premier évidement latéral. Une structure de grille est formée dans le premier évidement latéral et disposée sur une partie de la couche semi-conductrice. Une seconde ouverture, disposée latéralement à partir de laquelle la première ouverture a été formée, est formée à travers l'empilement de films. La partie de la couche semi-conductrice est retirée de la seconde ouverture en formant un second évidement latéral. Un condensateur est formé dans une région où le second évidement latéral a été disposé et en contact avec la partie de la couche semi-conductrice.