LIGHT EMITTING DIODE DEVICES

Described are light emitting diode (LED) devices comprising a mesa with semiconductor layers, the semiconductor layers including an N-type layer, an active layer, and a P-type layer. A patterned transparent conductive oxide layer is on the top surface of the mesa. The patterned transparent conductive oxide layer has a first portion with a first thickness and a second portion with a second thickness, the second thickness less than the first thickness. Optical loss of the LED is reduced in the thinned region of the transparent conductive oxide layer. L'invention concerne des dispositifs à diodes électroluminescentes (DEL) comprenant un mesa avec des couches semi-conductrices, les couches semi-conductrices comprenant une couche de type N, une couche active et une couche de type P. Une couche d'oxyde conductrice transparente à motifs se trouve sur la surface supérieure du mesa. La couche d'oxyde conductrice transparente à motifs a une première partie ayant une première épaisseur et une seconde partie ayant une seconde épaisseur, la seconde épaisseur étant inférieure à la première épaisseur. La perte optique de la DEL est réduite dans la région amincie de la couche d'oxyde conductrice transparente.