THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES WITH CHANNEL STRUCTURES HAVING PLUM BLOSSOM SHAPE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

A 3D memory device includes a substrate and a channel structure (200) extending vertically above the substrate and having a plum blossom shape including a plurality of petals (202A-202D) in a plan view. The channel structure (200) includes, in each of the plurality of petals (202A-202D), a charge trapping layer (206A-206D), a tunneling layer (208A-208D), a semiconductor channel (210A-210D), and a channel plug (226A-226D). The channel plug (226A-226D) is above and in contact with the charge trapping layer (206A-206D), the tunneling layer (208A-208D) and the semiconductor channel (210A-210D). L'invention concerne un dispositif mémoire 3D comprenant un substrat et une structure de canaux (200) s'étendant verticalement au-dessus du substrat et présentant une forme de fleur de prunier comprenant une pluralité de pétales (202A-202D) dans une vue en plan. La structure de canaux (200) comprend, dans chacun des pétales (202A-202D) de la pluralité, une couche de piégeage de charge (206A-206D), une couche de tunnellisation (208A-208D), un canal semi-conducteur (210A-210D), et un bouchon de canal (226A-226D). Le bouchon de canal (226A-226D) se trouve au-dessus et en contact avec la couche de piégeage de charge (206A-206D), la couche de tunnellisation (208A-208D) et le canal semi-conducteur (210A-210D).