METHODS FOR DEPOSITING PIEZOELECTRIC MATERIALS, AND MATERIALS DEPOSITED THEREWITH

Methods of depositing material onto substrate comprising: depositing a first seed material onto a wafer substrate, the wafer substrate having a face that defines a normal to the substrate, wherein the first seed material is deposited at a pressure of 10 to 20 mTorr to form a pre-seed layer on the wafer substrate, wherein the pre- seed layer has a surface roughness from 1 to 10 nm; depositing a second seed material onto at least a portion of the pre-seed layer at an off-normal incidence angle to form a seed layer on at least a portion of the pre-seed layer; and depositing a bulk piezoelectric material onto at least a portion of the seed layer to form a bulk piezoelectric layer having a c-axis tilt of 35 degrees or greater and a surface roughness of 4.5 nm or less. Structures and bulk acoustic wave resonators containing same are also included. La présente invention concerne des procédés de dépôt de matériau sur un substrat comprenant : le dépôt d'un premier matériau de germe sur un substrat de tranche, le substrat de tranche ayant une face qui délimite une perpendiculaire au substrat, le premier matériau de germe étant déposé à une pression de 10 à 20 mTorr pour former une pré-couche germe sur le substrat de tranche, la pré-couche germe présentant une rugosité de surface de 1 à 10 nm ; le dépôt d'un second matériau de germe sur au moins une partie de la pré-couche germe à un angle d'incidence non normal pour former une couche germe sur au moins une partie de la pré-couche germe ; et le dépôt d'un matériau piézoélectrique en vrac sur au moins une partie de la couche germe pour former une couche piézoélectrique en vrac présentant une inclinaison d'axe c supérieure ou égale à 35 degrés et une rugosité de surface inférieure ou égale à 4,5 nm. L'invention concerne également des structures et des résonateurs à ondes acoustiques de volume contenant celles-ci.