IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR IMAGING DEVICE

Provided is an imaging device capable of exhibiting better imaging performance. This imaging device comprises: a semiconductor substrate which includes a first surface and a second surface positioned on the opposite side from the first surface in the thickness direction, and which has a first region part and a second region part that are adjacent in the in-plane direction along the first surface and the second surface; a separation part which extends from the first surface and along thickness direction so as to divide the first region part and the second region part from each other; a first photoelectric conversion part which is provided in the first region part and which is capable of producing a first charge by detecting first light that enters from the first surface and performing photoelectric conversion thereof; a second photoelectric conversion part which is provided in the second region part and which is capable of producing a second charge by detecting second light that enters from the first surface and performing photoelectric conversion thereof; and a charge path part which is provided to a position that is between the separation part and the second surface and that overlaps with the separation part in the thickness direction, and which is provided such that the first charge and the second charge can pass therethrough. L'invention concerne un dispositif d'imagerie capable d'atteindre une performance d'imagerie supérieure. Ce dispositif d'imagerie comprend : un substrat semi-conducteur qui comprend une première surface et une seconde surface positionnée sur le côté opposé à la première surface dans la direction de l'épaisseur, et qui a une première partie de région et une seconde partie de région qui sont adjacentes dans la direction dans le plan le long de la première surface et de la seconde surface ; une partie de séparation qui s'étend à partir de la première surface et le long de la direction de l'épaisseur de façon à diviser la première partie de région et la seconde partie de région l'une de l'autre ; une première partie de conversion photoélectrique qui est disposée dans la première partie de région et qui est capable de produire une première charge en détectant une première lumière qui entre à partir de la première surface et en effectuant une conversion photoélectrique de celle-ci ; une seconde partie de conversion photoélectrique qui est disposée dans la seconde partie de région et qui est capable de produire une seconde charge en détec