METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements (100) angegeben mit den Schritten: - Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Aufwachsrichtung in einer vertikalen Richtung (92), wobei die Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht (3) aufgewachsen wird, die dazu eingerichtet und vorgesehen ist, im Betrieb in zumindest einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen, - Ausbilden zumindest einer Erhöhung (4) auf einer in vertikaler Richtung angeordneten oberen Seite der Halbleiterschichtenfolge, wobei die Erhöhung mit einer Oberseitenfläche (40) in vertikaler Richtung und mit zumindest einer lateralen Seitenfläche (41) in lateraler Richtung (90) abschließt und wobei die Oberseitenfläche und die zumindest eine laterale Seitenfläche zumindest teilweise durch ein erstes transparentes leitendes Oxid (42) gebildet wird. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (100) angegeben. The invention relates to a method for producing a light-emitting semiconductor component (100), comprising the steps of: - growing a semiconductor layer sequence (2) with a growth direction in a vertical direction (92), the semiconductor layer sequence being grown with an active layer (3), which is configured and provided for producing light (8) in at least one active region (5) during operation, - forming at least one elevation (4) on a top face of the semiconductor layer sequence, which top face is arranged in the vertical direction, the elevation terminating with a top surface (40) in the vertical direction and with at least one lateral side surface (41) in the lateral direction (90), and the top surface and the at least one lateral side surface being formed at least partially by a first transparent conductive oxide (42). The invention also relates to a light-emitting semiconductor component (100). L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant à semi-conducteur à émission de lumière (100), qui comprend les étapes suivantes : - croissance d'une succession de couches semi-conductrices (2) avec une direction de croissance verticale (92), la succession de couches semi-conductrices que l'on fait croître comprenant une couche active (3) qui est conçue et prévue pour produire de la lumière (8) dans au moins une zone active (5) pendant le fonctionnement, - formation d'au moins un relief (4) sur un côté supérieur de la succession de couches semi-conductrices dans la direction verticale, le relief étant