SHADOW RING KIT FOR PLASMA ETCH WAFER SINGULATION PROCESS

Shadow ring kits and methods of dicing semiconductor wafers are described. In an example, an etch apparatus includes a chamber, and a plasma source within or coupled to the chamber. An electrostatic chuck is within the chamber, the electrostatic chuck including a conductive pedestal to support a sub...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	TATTI, Arunkumar, SORENSEN, Michael, PEH, Eng, ELUMALAI, Karthik, THIRUNAVUKARASU, Sriskantharajah
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MACHINE TOOLS METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR PERFORMING OPERATIONS SEMICONDUCTOR DEVICES SOLDERING OR UNSOLDERING TRANSPORTING WELDING WORKING BY LASER BEAM
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Shadow ring kits and methods of dicing semiconductor wafers are described. In an example, an etch apparatus includes a chamber, and a plasma source within or coupled to the chamber. An electrostatic chuck is within the chamber, the electrostatic chuck including a conductive pedestal to support a substrate carrier sized to support a wafer having a first diameter. A shadow ring assembly is between the plasma source and the electrostatic chuck, the shadow ring assembly sized to process a wafer having a second diameter smaller than the first diameter. La présente invention concerne des kits d'anneau d'ombre et des procédés de découpage en dés de tranches de semi-conducteur. Dans un exemple, un appareil de gravure comporte une chambre et une source de plasma à l'intérieur de la chambre ou couplée à celle-ci. Un mandrin électrostatique se trouve à l'intérieur de la chambre, et comprend un socle conducteur pour supporter un support de substrat dimensionné pour supporter une tranche ayant un premier diamètre. Un ensemble d'anneau d'ombre se trouve entre la source de plasma et le mandrin électrostatique, et est dimensionné pour traiter une tranche ayant un second diamètre plus petit que le premier diamètre.